109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти с интерфейсом NVMe

  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 730/90K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (15/16 nm)
  • Доступные объемы: 1.2TB/2TB/3.2TB
  • Устойчивость к износу:  до 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCI Express Gen3 x4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 240/19K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 2'5 :480GB, 960GB, 1.92TB и M.2: 480GB и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.1b
  • Скорость операций ввода/вывода: до 1M/120K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 3.2TB и 6.4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 5 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/7K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 480GB и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB и 800GB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/7K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB и 1.92TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB, 800GB и 1.6TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/120K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 и 6400GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 430/28K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
Емкость системы: 400, 1200, 2000 GB
Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 743/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 800,1600,3200 GB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Страницы