109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:1920 / 1600 / 1000 / 800 / 500 / 400 / 250GB
  • 3 перезаписи полного объема в день
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:200/400/800/1600 GB
  • 10 перезаписей полного объема в день
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC High Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:100/200/400/800 GB
  • 25 перезаписей полного объема в день

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/120K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 и 6400GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/19K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 2000 и 4000GB
Устойчивость к износу: не менее 0.5 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
Скорость операций ввода/вывода: до 600/185K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 800GB/1600GB/3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
Скорость операций ввода/вывода: до 600/185K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 800GB/1600GB/3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 730/90K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (15/16 nm)
  • Доступные объемы: 1.2TB/2TB/3.2TB
  • Устойчивость к износу:  до 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 65/30K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 120GB, 240GB, 480GB, 800GB, и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCI-Express 2.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 450/220K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 600, 800, 1200,1600, 2400, 3200GB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Накопитель с настраиваемыми параметрами
Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 91/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480 и 960GB
Устойчивость к износу: не менее 0.4 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 99/18K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 120GB, 240GB, 480GB, 960GB, 1.92TB и 3.84TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы