Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 75/30K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (16nm, Toshiba) Емкость системы: 120Gb/240GB/480GB/960GB/1920GB Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 75/30K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (16nm, Toshiba) Емкость системы: 200GB/400GB/800GB/1600GB Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 270/19K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (16nm, Toshiba) Емкость системы: 2000 и 4000GB Устойчивость к износу: не менее 0.5 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe Скорость операций ввода/вывода: до 600/185K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (16nm, Toshiba) Емкость системы: 800GB/1600GB/3200GB Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe Скорость операций ввода/вывода: до 600/185K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (16nm, Toshiba) Емкость системы: 800GB/1600GB/3200GB Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 270/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (19nm, Toshiba) Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 270/60K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (19nm, Toshiba) Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 270/125K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC) (19nm, Toshiba) Емкость системы: 400, 800, 1600, 3200GB Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s) Скорость операций ввода/вывода: до 270/125K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC) (19nm, Toshiba) Емкость системы: 200, 400, 800, 1600GB Устойчивость к износу: не менее 25 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
