109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 450/56K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 400, 800, 1200, 1600, 2000 GB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 450/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 400,800,1600, 2000 GB
Устойчивость к износу: более 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: PCI-E
Скорость операций ввода/вывода: до 1130K IOPS (блоки 512B)
Тип накопителей: MLC
Емкость системы: 550,1100,2200, 4800 GB

 

 

Рейд контроллер с функцией SSD кеширования

  • LSI SAS2208 ROC контроллер
  • 16 портов (8 внешних и 8 внутренних)
  • PCIe 3.0
  • 2GB DDR3 ECC DRAM кеш
  • 1,6TB eMLC SSD кеш
  • Поддержка кеширования на чтение и запись с автоматическим определением " горячих" данных
  • LSI Flexible Flash

 

 

  • Интерфейс подключения: PCI-e 2.0 4x
  • Скорость операций ввода/вывода: до 165.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance, 19nm) 
  • Объем:800GB, 1TB, 1.6TB, 2TB
  • Интерфейс подключения: PCI-E
  • Скорость операций ввода/вывода: до 252.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (Toshiba 19nm)
  • Объем: 800GB / 1600GB / 3200GB
  • Windows Accelerator (WXL) / VXL virtualization 
  • Интерфейс подключения: SAS 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 120.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance, 24nm) 
  • 2.5 форм-фактор:200/400/800/2000 GB
  • До 20 перезаписей в день полного объема
  • Интерфейс подключения: SAS 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 115.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance, 24nm) 
  • 2.5 форм-фактор:400/800/1600/2000 GB
  • До 10 перезаписей в день полного объема
  • Поддержка аппаратного шифрования (XTS-AES-256 with Cipher Text Stealing (CTS))
  • Интерфейс подключения: PCI-E
  • Скорость операций ввода/вывода: до 185.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell 
  • Объем:930GB и 1.86TB
  • 2 перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: PCI-E
Скорость операций ввода/вывода: до 350000 IOPS (блоки 4K)
Тип накопителей: MLC
Емкость системы: 1370, 2750 и 5500 GB

 

 

  • Интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 85.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 19nm) 
  • 2.5 форм-фактор:100/120/200/240/400/480 GB
  •  
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 120.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 19nm) 
  • 2.5 форм-фактор:200/400/800 GB
  • 10 перезаписей полного объема в день

Страницы