109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

HGST Ultrastar SN100/SN150

HGST Ultrastar SN100/SN150

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 743/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 800,1600,3200 GB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

 

Наименование HGST Ultrastar SN100/SN150
Краткое описание Накопитель корпоративного класса с высочайшим быстродействием и интерфейсом подключения NVMe. Выполнен в виде платы PCIe или устройства формата 2'5. Предназначен для корпоративных серверов и датацентров .  Используется для смешанных нагрузок.
Архитектура NAND Flash Multi-Level Cell (eMLC технология) (19nm)
Контроллер NVMe 
Интерфейсы подключения

PCI-E x4 3.0 
Размер сектора 512, 520, 4096, 4104 Байт
Защита кеша устройства

Конденсаторная защита

Мониторинг с помошью SMART

SELF тест
Объем (GB) 800GB (2.5) 2200GB (PCIe/2.5) 3200(PCIe/2.5)
Пропускная способность (чтение, последовательный доступ, блоки 128K) 2.6 GB/s 3 GB/s 3GB/s
Пропускная способность (запись, последовательный доступ, блоки 128K) 1,5 GB/s 1,6 GB/s 1,6 GB/s
Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 4K) 634K IOPS 743K IOPS 743K IOPS
Производительность (запись, случайный доступ, блоки 4K) 107K IOPS 160K IOPS 160K IOPS
Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 8K) 330K IOPS 385K IOPS 385K IOPS
Производительность (запись, случайный доступ, блоки 8K) 42K IOPS 75K IOPS 75K IOPS
Производительность (70% чтение/ 30% запись , случайный доступ, блоки 4K) 190K IOPS 310K IOPS 310K IOPS
Время доступа (чтение, последовательный доступ, блоки 512B) 20 µs 20 µs 20 µs
Устойчивость IOPS (случайный доступ, запись/чтение, 4K/8K) 90% 90% 90%
Устойчивость к записи (Write Endurance) 5 PB 10 PB 21 PB
Энергопотребление (активная запись ) 25 W 25 W 25 W
Энергопотребление (активное чтение ) 8 W 8 W 8 W 
Требования к воздушному потоку  300 LFM 300 LFM 300 LFM
Форм-фактор
Карта формата PCI-E (половинная высота, полная длина,модель SN150) или
2.5 форм-фактор (модель SN100)
MTBF 2.000.000 часов
Невосстановимая ошибка чтения (UBER) < 1 сектора на  10 в 17 степени бит 
Электропитание 3.3V и 12V 
Стандарт NVMe 1.1a
Поддержка операционных систем  RHEL 6/7, SLES 12, CentOS 6/7, Open SUSE 12,
Microsoft Server 2008 R2, Windows 2012/2012R2
Параметры окружающей среды
Температура:
  • 0 – 55C (при работе)
  • -55 – 95C (при хранении)

Влажность: 5 – 90 %, без образования конденсата

Информация для заказа:

SN150:

HUSPR3216AHP301 / 0T00831
HUSPR3232AHP301 / 0T00833

SN100:
HUSPR3280ADP301 / 0T00835
HUSPR3216ADP301 / 0T00837
HUSPR3232ADP301 / 0T00839

Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.

отправляя заявку, я принимаю пользовательское соглашение