109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
SanDisk ULLtraDIMM (SMART Storage Systems/Diablo Technologies)
SanDisk ULLtraDIMM (SMART Storage Systems/Diablo Technologies)
- Интерфейс подключения: DDR3
- Скорость операций ввода/вывода: до 150.000 IOPS
- Тип накопителей: Multi-Level Cell (19nm)
- DDR3 форм-фактор: 200 и 400 GB
- До 25 перезаписей в день полного объема
Производитель:
SanDisk ULLtraDIMM первый из SSD накопителей выполненных в формате модуля DDR3. Модуль устанавливается в свободные слоты, отведенные под оперативную память, чем обеспечивает простоту модернизации, гибкость маштабирования и превосходные параметры по производительности дисковой подсистемы. Обладая рекордным в отрасли временем задержки (менее 5 микросекунд) , данный накопитель является идеальным решением для задач, которые предявляют настолько высокие требования. В отличие от оперативной памяти, данные в устройстве защищены от случайного пропадания электропитания или перезагрузке сервера.
|
Наименование
|
SanDisk ULLtraDIMM |
| Краткое описание |
Накопитель с интерфейсом DDR3 , предназначенный для установки серверы корпоративного класса (Tier-0) . Основное применение в приложениях , которые критичны к времени отклика (Big Data, сервера баз данных, сервера обработки финансовых транзакций, VDI сервера ) |
|
Объем
|
200 и 400GB, максимальный объем ограничен только количеством свободных слотов оперативной памяти.
|
|
Архитектура NAND Flash
|
Multi-Level Cell (19nm)
|
| Контроллер |
Sandisk |
| Защита кеша | да (конденсаторная защита, технология EverGuard™) |
|
Пропускная способность (один модуль)
|
Максимальное значение, последовательное чтение: 1000 MB/c Максимальное значение, последовательная запись: 760 MB/c |
|
Задержки (время отклика)
|
менее 5 μs (запись)
менее 150 μs (чтение)
|
| Производительность (чтение, блоки 4K) |
150 KIOPS |
|
Производительность (запись, блоки 4K)
|
65 KIOPS |
| Используемые технологии защиты данных |
Error correction code (ECC) внутри чипа флешпамяти Защита от выхода из строя чипа памяти (F.R.A.M.E.(Flexible Redundant Array of Memory Elements)) Оптимизированные запантентованные алгоритмы анализа и управления работы флеша Защита кеша от пропадания питания (EverGuard™ Technology: Backup Power Circuitry) Технология многопутевого доступа к ячейкам (DataGuard™ ) Температурные серсоры (сенсор температуры накопителя и сенсор воздушного потока) |
|
Интерфейс подключения
|
DDR3, высота модуля 30 mm
|
|
Невосстановимая ошибка чтения (UBER)
|
менее одного сектора на 10 в 17 степени бит
|
|
MTBF
|
2 миллиона часов
|
|
Устойчивость к записи (Write Endurance)
|
5 лет по : 10 объемов перезаписи в день (случайная запись)/ 25 объемов перезаписи в день (последовательная запись)
|
| Устойчивость к вибрации |
200G (10ms) |
|
Электропитание
|
1.35/1.5V (питание от слота памяти) |
| Энергопотребление: |
9W |
|
Параметры окружающей среды
|
Температура:
Влажность: 5 – 95 % |
| Гарантия | 5 лет или по истечении максимального объема записанной информации (при условии соблюдения температурного режима), что наступит ранее |
Информация для заказа:
SDLOODAM-200G-6KB1 200GB
SDLOOCAM-400G-6KB1 400GB
Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.
Copyright © 2015 - Tiscom