109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 140/15K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 190/35K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 480, 800, 960, 1600, 1920, 3200, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 25 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 800, 1600, 3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: PCI-Express 2.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 340/385K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 1.3, 1.6, 3.2, 6.4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/60K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/125K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 400, 800, 1600, 3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/125K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 200,  400, 800, 1600GB
Устойчивость к износу: не менее 25 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 91/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 120,  240, 480, 960GB
Устойчивость к износу: не менее 0.4 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 93/82K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 100, 200, 400, 8000GB
Устойчивость к износу: не менее 4 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 90/81K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 240, 480, 960, 1920GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы