Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу: до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Твердотельные накопители Intel серии DC P3520 обладают интерфейсом PCIe® Gen3 и основаны на архитектуре, включающей инновационную технологию флеш-памяти 3D NAND и высокопроизводительный интерфейс доступа к памяти NVMe (NVM Express или Non-Volatile Memory Express), что обеспечивает высочайшую производительность, низкие задержки и безупречное качество обслуживания (QoS).
Благодаря поддержке PCIe Gen3 и интерфейсу обработки очередей NVMe твердотельные накопители Intel серии DC P3520 обеспечивают превосходную скорость последовательного чтения до 2000 МБ/с и скорость последовательной записи до 1800 МБ/с. Скорость произвольного чтения достигает 375K IOPS, а скорость произвольной записи — 26K IOPS для блоков по 4 КБ. За счет прямого обмена данными между системой хранения данных и ЦП, реализуемого через интерфейс NVMe, задержка накопителей Intel серии DC P3520 при последовательном доступе составляет менее 20 мкс. Твердотельные накопители Intel серии DC P3520 типоразмера 2,5 дюйма оснащены разъемом U.2 (SFF- 8639), благодаря чему поддерживают горячую замену без прерывания работы системы.
Преимущества твердотельных накопителей Intel серии DC P3520:
Наименование | Intel DC P3520 | |
Краткое описание | Накопитель корпоративного класса с высочайшим быстродействием и интерфейсом подключения NVMe. Выполнен в виде платы PCIe . Предназначен для корпоративных серверов и датацентров . Используется для нагрузок с преобладающими операциями записи. | |
Архитектура NAND Flash | Intel TLC 3D NAND | |
Контроллер | Intel NVMe | |
Интерфейсы подключения |
NVMe PCI-E x4 |
|
Размер сектора | 512, 520, 528, 4096, 4104, 4160, 4224 Байт | |
Защита кеша устройства |
Конденсаторная защита |
|
Объем (GB) | 1200GB | 2000GB |
Пропускная способность (чтение, последовательный доступ, блоки 128K) | 1700 MB/s | 1700 MB/s |
Пропускная способность (запись, последовательный доступ, блоки 128K) | 1300 MB/s | 1350 MB/s |
Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 4K) | 320K IOPS | 375K IOPS |
Производительность (запись, случайный доступ, блоки 4K) | 26K IOPS | 26K IOPS |
Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 8K) | 170K IOPS | 200K IOPS |
Производительность (запись, случайный доступ, блоки 8K) | 14K IOPS | 14K IOPS |
Производительность (70% чтение/ 30% запись , случайный доступ, блоки 4K) | 80K IOPS | 85K IOPS |
Производительность (70% чтение/ 30% запись , случайный доступ, блоки 8K) | 40K IOPS | 45K IOPS |
Время доступа (чтение, последовательный доступ, блоки 4K) | 20 µs | 20 µs |
Время доступа (чтение, случайный доступ, блоки 4K) | 130 µs | 130 µs |
Время доступа (запись, последовательный доступ, блоки 4K) | 20 µs | 20 µs |
Время доступа (запись, случайный доступ, блоки 4K | 50 µs | 50 µs |
Устойчивость IOPS (случайный доступ, запись/чтение, 4K/8K) | 90% | 90% |
Устойчивость к записи (Write Endurance) | 1480 TB | 2490 TB |
Энергопотребление (активная запись ) | 30 W | 30 W |
Энергопотребление (активное чтение ) | 18 W | 18 W |
Требования к воздушному потоку (карта PCI-E) | 400 LFM | 450 LFM |
Форм-фактор |
Плата расширения PCIe (половинная высота, половинная длина (HHHL))
Один слот x4 |
|
MTBF | 2.000.000 часов | |
Невосстановимая ошибка чтения (UBER) | < 1 сектора на 10 в 17 степени бит | |
Электропитание | от шины PCI-E | |
Параметры окружающей среды |
Температура:
Влажность: 5 – 90 %, без образования конденсата |
Информация для заказа:
SSDPEDMX012T701 Intel® SSD DC P3520 Series (1.2TB, 1/2 Height PCIe 3.0 x4, 3D1, MLC) Generic Single Pack
SSDPEDMX020T701 Intel® SSD DC P3520 Series (2.0TB, 1/2 Height PCIe 3.0 x4, 3D1, MLC) Generic Single Pack
Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.
Copyright © 2015 - Tiscom