3D XPoint - революция в технологиях хранения информации

Компании Intel и Micron готовят революцию в технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.

Из скупой пока технической информации, которая касается памяти 3D XPoint, известно, что она имеет архитектуру, в которой ячейки памяти, не имеющие в своем составе транзисторов, находятся в точках пресечения шин адреса и данных. В отличие от памяти типа DRAM и Flash-NAND, ячейки памяти 3D XPoint не используют электрических зарядов для хранения данных, в них используется, судя по некоторым предположениям, нечто наподобие мемристоров.

Благодаря новой технологии, информация в каждой ячейке 3D XPoint памяти может быть записана или прочитана при помощи определенного электрического потенциала, приложенного к соответствующим разрядам шины данных и шины адреса. А отсутствие в составе ячейки памяти управляющих транзисторов позволило сократить размеры самой ячейки и увеличить показатель плотности хранения информации.
 

Следует отметить, что память 3D XPoint является далеко не единственной альтернативой для замены памяти DRAM и Flash-NAND, но другие альтернативные варианты пока еще слишком дороги для того, чтобы составить им конкуренцию.
 

Сейчас на белом свете имеются опытные образцы чипов 3D XPoint памяти, а их мелкосерийное производство начнется позже в этом году.

Чипы памяти на основе 3D XPoint, которые разрабатываются как специалистами Intel, так и специалистами Micron, начнут поставляться к концу года, но будут доступны лишь ограниченному кругу привилегированных клиентов. Учитывая, что память 3D XPoint быстра как DRAM, но не столь плотна, как NAND, конечный сегмент рынка для продуктов на базе этой памяти еще не полностью ясен. Скорее всего, сначала можно будет ожидать появления на  свет появятся гибридных устройств хранения информации, в которых будут использоваться большие массивы Flash-NAND и промежуточные массивы из быстрой памяти 3D XPoint.