109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM OCZ

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/120K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 и 6400GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Накопитель с настраиваемыми параметрами
Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 91/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480 и 960GB
Устойчивость к износу: не менее 0.4 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 91/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 120,  240, 480, 960GB
Устойчивость к износу: не менее 0.4 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 93/82K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 100, 200, 400, 8000GB
Устойчивость к износу: не менее 4 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 90/81K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 240, 480, 960, 1920GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SATA 3.0
Скорость операций ввода/вывода: до 90/38K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 100,  200, 400, 800GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/120K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 и 6400GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: PCI-E
  • Скорость операций ввода/вывода: до 252.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (Toshiba 19nm)
  • Объем: 800GB / 1600GB / 3200GB
  • Windows Accelerator (WXL) / VXL virtualization 

Программное обеспечение для ускорения операций ввода-вывода серверов, использующих программное обеспечение Linux. Работает совместно с картами OCZ Z-Drive.

Программное обеспечение для ускорения операций ввода-вывода серверов, использующих программное обеспечение VMware. Работает совместно с картами OCZ Z-Drive.

Программно-аппаратное решение для ускорения операций ввода-вывода серверов, использующих программное обеспечение Microsoft SQL

Страницы