109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM INTEL

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 636500/ 223000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 2TB и 4TB
Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 636500/ 223000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.6TB, 2TB и 3.2TB
Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 687000/ 62000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 4TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 687000/ 62000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1TB, 2TB и 4TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 72000/33000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: 3D NAND TLC
  • Емкость, накопители 2'5: 240, 480, 960 , 1920, 3840GB
  • Устойчивость к износу: до 1 перезаписи в сутки в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 72000/65000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: 3D NAND TLC
  • Емкость, накопители 2'5: 240, 480, 960 и 1920GB
  • Устойчивость к износу: до 3 перезаписей в сутки в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 70/18K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (3D MLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 150, 240, 480, 800,  960, 1200, 1600GB
  • Устойчивость к износу: до 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 450GB, 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 59/4.7K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (TLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 180, 240, 480, 1000GB
  • Устойчивость к износу: 72 TBW

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 430/28K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
Емкость системы: 400, 1200, 2000 GB
Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы