109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM INTEL

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 70/18K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (3D MLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 150, 240, 480, 800,  960, 1200, 1600GB
  • Устойчивость к износу: до 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 450GB, 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 59/4.7K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (TLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 180, 240, 480, 1000GB
  • Устойчивость к износу: 72 TBW

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 430/28K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
Емкость системы: 400, 1200, 2000 GB
Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 67/20K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
  • Емкость, накопители 2'5: 80, 120, 240, 480, 480, 800,1200,1600GB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 85/45K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
  • Емкость, накопители 2'5: 200, 400, 480, 800,1200,1600GB
  • Емкость, накопители 1'8: 200, 400, 800GB
  • Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 85/45K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
  • Емкость системы: 200,400,800,1200GB
  • Устойчивость к износу: более 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 450/56K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 400, 800, 1200, 1600, 2000 GB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

  • Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 75.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
  • 2.5 форм-фактор: 80/120/160/240/300/480/600/800 GB
  • 1.8 форм-фактор: 80/240/400/800 GB

Рейд контроллер с функцией SSD кеширования

  • LSI SAS2208 ROC контроллер
  • 4 порта
  • PCIe 3.0
  • 1GB DDR3 ECC DRAM кеш
  • 1TB (RCS25ZB040LX) / 256GB (RCS25ZB040) eMLC SSD кеш
  • Поддержка кеширования на чтение и запись с автоматическим определением " горячих" данных

 

 

Страницы