Флеш-память типа 3D V- NAND

Флеш-память типа 3D V- NAND постепенно получает все более широкое распространение. Она не только обеспечивает повышенную ёмкость в сравнении с памятью типа MLC, но и обладет более высокими показателями надежности по сравнению с TLC.

На недавно прошедшем собрании инвесторов Intel было объявлено, что во второй половине 2015 года совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies начнёт массовое производство многослойных чипов ёмкостью 256 и 384 Гбит.

Трёхмерная структура новых чипов с трехуровневыми ячейками 3D-NAND будет иметь 32 слоя кристаллов, соединённых с помощью массива специальных вертикальных структур, аналогичных традиционным TSV (through silicon via). Появление чипов флеш-памяти с такой ёмкостью откроет дорогу к созданию твердотельных жёстких дисков огромного объёма, с объёмами, сопоставимыми с традиционными HDD последнего поколения.я. Вице-президент подразделения Intel, занимающегося энергонезависимой памятью, Роб Крук (Rob Crooke) считает, что в ближайшие два года ёмкость SSD на базе новой технологии может перевалить за 10 терабайт.

Снижение себестоимости и повышение надежности достигается путем применения более крупных и дешевых технологических процессов (каких именно – Intel пока не сообщает). Но рабочие прототипы SSD на базе 256-гигабитных «трёхмерных» чипов уже существуют, и один из них был продемонстрирован на вышеупомянутом собрании инвесторов Intel.

Параллельном курсом движется компания Samsung, которая тоже активно производит «трёхмерную» флеш-память: её 128-гигабитные чипы имеют 24 или 32 слоя и используют непривычно крупные по нынешним меркам технологические нормы — 42 нанометра. «Видимая ёмкость» этих микросхем составляет 86 Гбит; похоже, Samsung осторожничает, желая любой ценой избежать гипотетических проблем с новой технологией. На этом фоне проект Intel-Micron, стартующий сразу с 256-гигабитной ёмкости, выглядит куда более амбициозно, но и стоимость конечного продукта при таком подходе будет заметно ниже. А от этого, разумеется, выиграют и рядовые пользователи.

Новые многослойные чипы флеш-памяти Intel, может быть, и не произведут массовой революции на рынке твердотельных накопителей в целом, но они сделают ёмкие модели более доступными для пользователей и позволят компании существенно укрепить свои позиции в этой отрасли микроэлектроники.