Совместная разработка компании Samsung и IBM будет представлена 24 мая

О разработке нового типа энергонезависомой памяти разговор идет уже давно. И вот эта работа вышла на финишную прямую. Совместная разработка компании Samsung и IBM должна быть представлена 24 мая на мероприятии Samsung Foundry Forum Event. Новая энергонезависимая память MRAM в 100 000 раз быстрее памяти NAND и при этом не имеет ограничения по количеству перезаписей. MRAM — это магниторезистивная оперативная память, которая, несмотря на название, может использоваться вместо памяти NAND.

Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 1990-х годов. В сравнении с растущим объемом производства других типов компьютерной памяти, особенно флэш-памятью и памятью типа DRAM, она пока широко не представлена на рынке. Однако её сторонники верят, что благодаря ряду преимуществ она в конечном счёте заменит все типы компьютерной памяти и станет по-настоящему «универсальной» компьютерной памятью.

В отличие от других типов запоминающих устройств, информация в магниторезистивной памяти хранится не в виде электрических зарядов или токов, а в магнитных элементах памяти.  Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделенных тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля. Устройство памяти организовано по принципу сетки, состоящей из отдельных «ячеек», содержащих элемент памяти и транзистор.

Считывание информации осуществляется измерением электрического сопротивления ячейки. Отдельная ячейка (обычно) выбирается подачей питания на соответствующий ей транзистор, который подаёт ток от источника питания через ячейку памяти на общую землю микросхемы. Вследствие эффекта туннельного магнитосопротивления электрическое сопротивление ячейки изменяется в зависимости от взаимной ориентации намагниченностей в слоях. По величине протекающего тока можно определить сопротивление данной ячейки, и как следствие, полярность перезаписываемого слоя. Обычно одинаковая ориентация намагниченности в слоях элемента интерпретируется как «0», в то время как противоположное направление намагниченности слоёв, характеризующееся более высоким сопротивлением — как «1».

На Samsung Foundry Forum Event могут представить первые продукты, использующие MRAM. К примеру, источник говорит о том, что одно из подразделений Samsung уже располагает прототипом некой однокристальной системы с интегрированной памятью MRAM.

Что касается коммерциализации технологии, первым клиентом Samsung стала компания NXP. Однокристальные системы семейства i.MX, предназначенные для устройств сегмента интернета вещей, а также некоторые микроконтроллеры NXP уже со следующего поколения получат интегрированную память MRAM.