109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
Intel DC P3608 "Fultondale-3"
Intel DC P3608 "Fultondale-3"
Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET) (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Производитель:
| Наименование | Intel DC P3608 (Fultondale-3) | ||
| Краткое описание | Накопитель корпоративного класса с высочайшим быстродействием и интерфейсом подключения NVMe. Выполнен в виде платы PCIe или устройства формата 2'5. Предназначен для корпоративных серверов и датацентров . Используется для нагрузок смешанного типа (чтение-запись). | ||
| Архитектура NAND Flash | Intel Multi-Level Cell (MLC-НЕТ технология) (20nm) | ||
| Контроллер | Intel NVMe | ||
| Интерфейсы подключения |
PCI-E x4 3.0 |
||
| Размер сектора | 512, 520, 528, 4096, 4104, 4160, 4224 Байт | ||
| Защита кеша устройства |
Конденсаторная защита Мониторинг с помошью SMART SELF тест |
||
| Объем (GB) | 1600GB | 3200GB | 4000TB |
| Пропускная способность (чтение, последовательный доступ, блоки 128K) | 5 GB/s | 4,5 GB/s | 5 GB/s |
| Пропускная способность (запись, последовательный доступ, блоки 128K) | 2 GB/s | 2,6 GB/s | 3 GB/s |
| Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 4K) | 850K IOPS | 850K IOPS | 850K IOPS |
| Производительность (запись, случайный доступ, блоки 4K) | 150K IOPS | 80K IOPS | 50K IOPS |
| Производительность (чтение, случайный доступ, блоки 8K) | 500K IOPS | 500K IOPS | 500K IOPS |
| Производительность (запись, случайный доступ, блоки 8K) | 60K IOPS | 36K IOPS | 28K IOPS |
| Производительность (70% чтение/ 30% запись , случайный доступ, блоки 4K) | 300K IOPS | 165K IOPS | 150K IOPS |
| Производительность (70% чтение/ 30% запись , случайный доступ, блоки 8K) | 160K IOPS | 80K IOPS | 75K IOPS |
| Время доступа (чтение, последовательный доступ, блоки 4K) | 20 µs | 20 µs | 20 µs |
| Время доступа (чтение, случайный доступ, блоки 4K) | 120 µs | 120 µs | 120 µs |
| Время доступа (запись, последовательный доступ, блоки 4K) | 20 µs | 20 µs | 20 µs |
| Время доступа (запись, случайный доступ, блоки 4K | 30 µs | 30 µs | 30 µs |
| Устойчивость IOPS (случайный доступ, запись/чтение, 4K/8K) | 90% | 90% | 90% |
| Quality of Service (99%, чтение/запись, QD=1) | 0.12/0.5 ms | 0.12/0.5 ms | 0.12/0.5 ms |
| Quality of Service (99%, чтение/запись, QD=128) | 0.75/25 ms | 0.75/25 ms | 0.75/25 ms |
| Quality of Service (99,99%, чтение/запись, QD=1) | 3.0/4.7 ms | 3.0/4.7 ms | 3.0/4.7 ms |
| Quality of Service (99,99%, чтение/запись, QD=128) | 7/30 ms | 7/30 ms | 7/30 ms |
| Устойчивость к записи (Write Endurance) | 8.76 PB | 17.52 PB | 21.90 PB |
| Энергопотребление (активная запись ) | 30 W | 30 W | 30 W |
| Энергопотребление (активное чтение ) | 18 W | 18 W | 18 W |
| Требования к воздушному потоку (карта PCI-E) | 400 LFM | 400 LFM | 400 LFM |
| Форм-фактор |
Карта формата PCI-E (половинная высота, полная длина)
|
||
| MTBF | 2.000.000 часов | ||
| Невосстановимая ошибка чтения (UBER) | < 1 сектора на 10 в 17 степени бит | ||
| Электропитание | от шины PCI-E | ||
| Параметры окружающей среды |
Температура:
Влажность: 5 – 90 %, без образования конденсата |
||
Информация для заказа:
Рекламная листовка
Техническая спецификация
Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.
Copyright © 2015 - Tiscom