Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) Скорость операций ввода/вывода: до 430/28K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC) (20nm) Емкость системы: 400, 1200, 2000 GB Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Ошибка в реализации TSX-инструкций в Intel Xeon E5 v3
Как сообщалось два месяца назад, в некоторых моделях процессоров Intel допущена ошибка в реализации набора инструкций Transactional Synchronized eXtensions (TSX). Баг присутствует в ряде процессоров поколения Haswell и в первых чипах Broadwell.
Компания intel сообщила о выпуске серии твердотельных накопителей под названием Pro 2500. Устройства ориентированы на применение в корпоративном секторе и полностью совместимы с фирменной технологией Intel vPro.
Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) Скорость операций ввода/вывода: до 450/56K IOPS (Read/Write, блоки 4KB) Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET) (20nm) Емкость системы: 400, 800, 1200, 1600, 2000 GB Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет