109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

Samsung SM863A
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 95/28K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC 3D NAND
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB, 1.92TB и 3.84TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет (3DWPD)
Samsung PM863a
  • Интерфейс подключения: SATA 2.0 (6Gb/s)
  • Скорость операций ввода/вывода: до 97/24K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC 3D NAND
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB, 1.92TB и 3.84TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC S3520
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 70/18K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (3D MLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 150, 240, 480, 800,  960, 1200, 1600GB
  • Устойчивость к износу: до 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC P3520 U.2

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 450GB, 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel DC P3520

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
HGST Ultrastar SN100 Max Capacity
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/38K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 956GB/1910GB/3820GB
  • Устойчивость к износу:  до 0,8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
HGST Ultrastar SN100
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/140K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 800GB/1600GB/3200GB
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
HGST Ultrastar SN150 Max Capacity
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/38K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 1.91TB/3.82TB
  • Устойчивость к износу:  до 0,8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
HGST Ultrastar SN150
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/140K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 1.6TB/3.2TB
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Huawei Tecal ES3000 V3 (ES3600P V3)
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 770/175K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (15/16 nm)
  • Доступные объемы: 1.6TB/3.2TB
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Huawei Tecal ES3000 V3 (ES3600P V3)
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 770/175K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (15/16 nm)
  • Доступные объемы: 1.2TB/1.6TB/3.2TB
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate Nytro® XF1230
  • Интерфейс подключения: SATA 6G
  • Скорость операций ввода/вывода: до 98/17K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 240GB, 480GB, 960GB и 1.92TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.67 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы