109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB и 800GB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/7K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB и 1.92TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB, 800GB и 1.6TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCI-Express 3.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 280/131K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 1.3TB, 1.75TB и 3.5TB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
  • Интерфейс подключения: PCI-Express 3.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 300/100K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 1.3TB и 3.4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 140/15K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 190/35K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 480, 800, 960, 1600, 1920, 3200, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 200, 400GB
Устойчивость к износу: не менее 25 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 210/70K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 400, 800, 1600, 3200GB
Устойчивость к износу: не менее 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

  • Интерфейс подключения: PCI-Express 2.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 340/385K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC
  • Доступные объемы: 1.3, 1.6, 3.2, 6.4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 2 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 270/22K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 480, 960, 1600, 1920, 3840GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы