109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти SSD/DRAM

Intel DC s3610 "Haleyville-3"
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 85/45K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
  • Емкость, накопители 2'5: 200, 400, 480, 800,1200,1600GB
  • Емкость, накопители 1'8: 200, 400, 800GB
  • Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel DC s3710 "Haleyville-10"
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 85/45K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
  • Емкость системы: 200,400,800,1200GB
  • Устойчивость к износу: более 10 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Sandisk/Fusion ioMemory™ PX600
  • Интерфейс подключения: PCI-Express 2.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: более 385.000 IOPS
  • Тип накопителей: MLC
  • DDR3 форм-фактор: 1.0/1.3/2.6/5.2 TB
  • До шести циклов перезаписи в день полного объема
Sandisk/Fusion ioMemory™ SX300
  • Интерфейс подключения: PCI-Express 2.0 x8
  • Скорость операций ввода/вывода: более 385.000 IOPS
  • Тип накопителей: MLC
  • DDR3 форм-фактор: 1.3/2.6/3.2/6.4 TB
  • До двух циклов перезаписи в день полного объема
PMC Flashtec NVRAM NV1604/NV1608/NV1616
  • Интерфейс подключения: NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: более 10.000.000 IOPS
  • Тип накопителей: Non-volatile DRAM
  • DDR3 форм-фактор: 4,8,16 GB
  • Объем перезаписи неограничен
Toshiba PX03SN
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC, 19nm) 
  • 2.5 форм-фактор: 200,400,800,1600 GB
  • 1 цикл полной перезаписи в день
Toshiba PX02SM
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC, 24nm) 
  • 2.5 форм-фактор: 200,400,800,1600 GB
  • 10 циклов полной перезаписи в день
Toshiba MKx001GRZB
  • Интерфейс подключения: SAS 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 90.000 IOPS
  • Тип накопителей: Single-Level Cell (SLC, 32nm) 
  • 2.5 форм-фактор: 100,200,400GB
  • Гарантия 5 лет без ограничения износа
HGST (Virident) FlashMAX III

Интерфейс подключения: PCI-E 3.0 x8
Скорость операций ввода/вывода: до 549K IOPS (блоки 4K)
Тип накопителей: eMLC
Емкость системы: 1100, 1650, 2200 GB

 

 
SanDisk Lightning Ultra/Ascend/Eco Gen. II
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 190.000 IOPS
  • Тип накопителей: SLC/eMLC
  • 2.5 форм-фактор: до 1.6 TB
  • До 25 перезаписей в день полного объема
SanDisk Optimus MAX™ 4TB
  • Интерфейс подключения: SAS 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 70.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC, 19nm) 
  • 2.5 форм-фактор: 4TB
  • До 3 перезаписей в день полного объема
SanDisk ULLtraDIMM (SMART Storage Systems/Diablo Technologies)
  • Интерфейс подключения: DDR3
  • Скорость операций ввода/вывода: до 150.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (19nm) 
  • DDR3 форм-фактор: 200 и 400 GB
  • До 25 перезаписей в день полного объема

Страницы