109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

HGST (sTec) s846

HGST (sTec) s846

  • Интерфейс подключения: SAS 6Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 115.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance, 24nm) 
  • 2.5 форм-фактор:400/800/1600/2000 GB
  • До 10 перезаписей в день полного объема
  • Поддержка аппаратного шифрования (XTS-AES-256 with Cipher Text Stealing (CTS))
Производитель: 
HGST

HGST (sTec) s846 накопитель корпоративного класса с интерфейсом SAS 6G и поддержкой аппаратного шифрования. Предназначен для установки в серверах корпоративного класса.

 

Наименование
 HGST (sTec) s846
Краткое описание

Накопитель с интерфейсом SAS , предназначенный для установки в дисковые массивы и серверы корпоративного класса (Tier-0) . Основное применения в средах с преобладающими операциями записи.
Объем
400/800/1600/2000 GB форм-фактор 2'5
Архитектура NAND Flash
Multi-Level Cell (Toshiba MLC Mainstream Endurance, 19nm)
Технология Secure Array of Flash Elements™ (SAFE)
Технология CellCare™
Контроллер

HGST
Защита кеша да (конденсаторная защита)
Пропускная способность

Максимальное значение, последовательное чтение: 530 MB/c

Максимальное значение, последовательная запись: 470 MB/c
Задержки (время отклика)
36 μs (чтение) / 86 μs (запись)
Производительность (512)

Максимальная скорость линейного чтения/записи блоков по 512Б (операций в секунду, KIOPS): 

115/112 (все модели)
Производительность (4K)

Максимальная скорость случайного чтения/записи блоков по 4 КБ (операций в секунду, KIOPS): 

85/41 (400GB), 85/43 (800GB), 85/65 (1600GB), 85/33 (2000GB)
Используемые технологии защиты данных

Error correction code (ECC) внутри чипа флешпамяти

Защита от выхода из строя чипа памяти

Оптимизированные запантентованные алгоритмы анализа и управления работы флеша

Защита кеша от пропадания питания

Температурные серсоры (сенсор температуры накопителя и сенсор воздушного потока)
Интерфейс подключения
SAS 6Gb/s
Невосстановимая ошибка чтения (UBER)
менее одного сектора на 10 в 17 степени бит
MTBF
2 миллиона часов
Устойчивость к записи (Write Endurance)

22(400GB), 44(800GB), 110 (1600GB), 110 (2000GB) PB при условии 100% линейной записи

7(400GB), 14(800GB), 32(1600GB), 32(2000GB) PB при условии 100% случайной записи
Устойчивость к вибрации

1000G (0.5ms)
500G (2ms)
Электропитание
 +5 VDC (+/-5%)
+12VDC (+/-5%)
Энергопотребление:

При работе :9W (400 и 800GB) / 12W (1600 и 2000GB)
Параметры окружающей среды
Температура:
  • 0 – 60C (при работе)
  • -40 – 75C (при хранении)

Влажность: 5 – 95 %
Гарантия 5 лет или по истечении максимального объема записанной информации (при условии соблюдения температурного режима), что наступит ранее

 

 

 

Информация для заказа:

S846E1600M2 S800 SAS SSD 2.5" 15mm 1.6TB MLC
S846E2000M2 S800 SAS SSD 2.5" 15mm 2TB MLC
S846E200M1 S800 SAS SSD 1.8" 5mm 200GB MLC
S846E400M1 S800 SAS SSD 1.8" 5mm 400GB MLC
S846E400M2 S800 SAS SSD 2.5" 15mm 400GB MLC
S846E800M2 S800 SAS SSD 2.5" 15mm 800GB MLC

Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.

отправляя заявку, я принимаю пользовательское соглашение