109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD1000MR

HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD1000MR

  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 145.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Read Intensive, 25nm)
  • 2.5 форм-фактор:250/500/1000 GB
  • 2 перезаписи полного объема в день   

 

 

Производитель: 
HGST

 

Наименование
HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD1000MR
Краткое описание

Накопитель с интерфейсом SAS , предназначенный для установки в дисковые массивы и серверы корпоративного класса (24x7) и предназначенный для нагрузок с преобладающими операциями чтения
Объем
250/500/1000GB форм-фактор 2'5
Архитектура NAND Flash
Multi-Level Cell (MLC Read Intensive, 25nm)
Контроллер

Intel/HGST DB29AA11B0
Защита кеша да (конденсаторная защита)
Пропускная способность

Устоявшееся последовательное чтение: 1200 MB/c

Устоявшаяся последовательная запись: 700 MB/c
Задержки (время отклика)
40 μs (чтение) / 55 μs (запись)
Производительность
  • Чтение случайными блоками 4K:  145.000 IOPS
  • Запись случайными блоками 4K : 20.000 IOPS
  • Смешанная нагрузка (70R/30W) : 36.000 IOPS
Используемые технологии защиты данных

Error correction code (ECC) внутри чипа флешпамяти

Защита кеша от пропадания питания

Температурные серсоры (сенсор температуры накопителя и сенсор воздушного потока)
Интерфейс подключения
SAS 12Gb/s
Невосстановимая ошибка чтения (UBER)
менее одного сектора на 10 в 17 степени бит
MTBF
2 миллиона часов
Устойчивость к записи (Write Endurance)

2 перезаписи полного объема в день в течении 5 лет (при температуре накопителя не более 40С):

  • 250 GB: 0.9 PB
  • 500 GB: 1.8 PB
  • 1000 GB: 3.7 PB
Устойчивость к вибрации

1000G (0.5ms)
500G (2ms)
Электропитание
 +5 VDC (+/-5%)
+12VDC (+/-5%)
Энергопотребление:

При работе :9.0 и11W

В режиме покоя : 2.2W
Параметры окружающей среды
Температура:
  • 0 – 60C (при работе)
  • -55 – 95C (при хранении)

Влажность: 5 – 95 %
Гарантия 5 лет или по истечении максимального объема записанной информации (при условии соблюдения температурного режима), что наступит ранее

 

 

 

Информация для заказа:

HUSMR1010ASS200
HUSMR1050ASS200
HUSMR1025ASS200
HUSMR1010ASS201
HUSMR1050ASS201
HUSMR1025ASS201
HUSMR1010ASS204
HUSMR1050ASS204
HUSMR1025ASS204
HUSMR1010ASS205
HUSMR1050ASS205
HUSMR1025ASS205

 

Расшифровка модели:
HUSMR1010ASS200 = 1000GB, SAS 12Gb/s
H = HGST
HOST = Ultrastar
S = Standard
MR = Multi-level cell Read Intensive (3DW/D)
10 = Full capacity — 1000GB
10 = Capacity this model, 10 = 1000GB
(50 = 500GB, 25 = 250GB)
A = Generation code
S = Small Form Factor (vs. L for Large FF)
S2 = Interface, SAS 12Gb/s
0 = Reserved
0 = Crypto sanitize
(1 = TCG encryption, 4 = No encryption,5 = TCG + FIPs Certified Encryption)

 

Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.

отправляя заявку, я принимаю пользовательское соглашение