109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD800MM

HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD800MM

  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 145.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 25nm) 
  • 2.5 форм-фактор:200/400/800 GB
  • 10 перезаписей полного объема в день
Производитель: 
HGST

 

Наименование
HGST(Hitachi Global Storage Technologies, Western Digital Company) SSD800MM
Краткое описание

Накопитель с интерфейсом SAS , предназначенный для установки в дисковые массивы и серверы корпоративного класса (24x7)
Объем
200/400/800GB форм-фактор 2'5
Архитектура NAND Flash
Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 25nm)
Контроллер

Intel/HGST DB29AA11B0
Защита кеша да (конденсаторная защита)
Пропускная способность

Устоявшееся последовательное чтение: 1150 MB/c

Устоявшаяся последовательная запись: 700 MB/c
Задержки (время отклика)
40 μs (чтение) / 55 μs (запись)
Производительность
  • Чтение случайными блоками 4K:  145.000 IOPS
  • Запись случайными блоками 4K : 70.000 IOPS
  • Смешанная нагрузка (70R/30W) : 110.000 IOPS
Используемые технологии защиты данных

Error correction code (ECC) внутри чипа флешпамяти

Защита кеша от пропадания питания

Температурные серсоры (сенсор температуры накопителя и сенсор воздушного потока)
Интерфейс подключения
SAS 12Gb/s
Невосстановимая ошибка чтения (UBER)
менее одного сектора на 10 в 17 степени бит
MTBF
2 миллиона часов
Устойчивость к записи (Write Endurance)

10 перезаписей полного объема в день в течении 5 лет (при температуре накопителя не более 40С):

  • 200 GB: 3.7 PB
  • 400 GB: 7.3 PB
  • 800 GB: 14.6 PB
Устойчивость к вибрации

1000G (0.5ms)
500G (2ms)
Электропитание
 +5 VDC (+/-5%)
+12VDC (+/-5%)
Энергопотребление:

При работе :9.0 и11W

В режиме покоя : 2.2W
Параметры окружающей среды
Температура:
  • 0 – 60C (при работе)
  • -55 – 95C (при хранении)

Влажность: 5 – 95 %
Гарантия 5 лет или по истечении максимального объема записанной информации (при условии соблюдения температурного режима), что наступит ранее

 

 

 

Информация для заказа:

HUSMM8080ASS200
HUSMM8040ASS200
HUSMM8020ASS200
HUSMM8080ASS201
HUSMM8040ASS201
HUSMM8020ASS201
HUSMM8080ASS204
HUSMM8040ASS204
HUSMM8020ASS204
HUSMM8080ASS205
HUSMM8040ASS205
HUSMM8020ASS205

 

Расшифровка модели:
HUSMM8080ASS200 = 800GB, SAS 12Gb/s
H = HGST
U = Ultrastar
S = Standard
MM= Multi-level cell Mainstream Endurance
Intensive (10DW/D)
80 = Full capacity — 800GB
80 = Capacity this model, 80 = 800GB
(40 = 400GB, 20 = 200GB)
A = Generation code
S = Small Form Factor (vs. L for Large FF)
S2 = Interface, SAS 12Gb/s
0 = Reserved
0 = Crypto sanitize
(1 = TCG encryption, 4 = No encryption,
5 = TCG + FIPs Certified Encryption)

 

Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.

отправляя заявку, я принимаю пользовательское соглашение