109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
LSI® Nytro™ WarpDrive™
LSI® Nytro™ WarpDrive™
- Интерфейс подключения: PCI-E
- Скорость операций ввода/вывода: до 260.000 IOPS (8K)
- Тип накопителей: 200/400 (SLC), 400/800/1600/3200 (eMLC)
- Емкость системы: 200/400 (SLC), 400/800/1600/3200 (eMLC)
Производитель:
|
Наименование
|
LSI® Nytro™ WarpDrive™ Application Acceleration Card
|
| Краткое описание | PCI-E карта. Основное назначение- высокоскоростное кеширование часто используемых данных в отдельно стоящих серверах. Разные объемы, разные используемые чипы флеш памяти. Опционально поставляется программное обеспечение LSI Nytro XD для постороения кеширующего устроайства между SAN или DAS компонентами сети. |
|
Объем
|
от 200 до 3200GB
|
|
Архитектура NAND Flash
|
Multi-Level Cell (eMLC) модели объемом 400, 800, 1600 и 3200GB
Single-Level Cell (SLC) модели объемом 200 и 400GB
|
| Контроллер | LSI SandForce flash storage процессор и LSI SAS контроллер |
| Интерфейсы подключения |
PCI-E x8 2.0 для моделей объемом 200-1600GB PCI-E x8 3.0 для моделей объемом 3200GB |
|
Пропускная способность
|
Чтение: до 2GB/s модели 200-1600GB, до 4GB/s модель 3200GB (блоки 256B) Запись: до 1.7GB/s (SLC), до 1GB/s (eMLC, 400-1600GB), до 2.5GB/s (eMLC, 3200GB) (блоки 256B) |
|
Задержки
|
менее 50 микросекунд
|
|
Производительность
|
Чтение случайными блоками 4K: 190.000(SLC), 185.000 (eMLC, 400-1600GB), 260.000 (eMLC, 3200GB) IOPS
Запись случайными блоками 4K : 138.000(SLC), 120.000 (eMLC, 400-1600GB), 200.000 (eMLC, 3200GB) IOPS |
| Используемые технологии повышения производительности и защиты данных |
-ECC внутри каждого чипа флеш памяти (до 55 бит на 512 байт) -механизм выравнивания записи (DuraWrite™ advanced wear leveling -батарейная защита кеша устройства -менее чем 5 секунд на восстановление после сбоя питания -поддержка SMART и TRIM -поддержка Secure Erase -обновление прошивки устройства и драйверов без потери данных -Ultra-low write Amplification -Advanced Garbage Collection -Dynamic Overprovisioning -встроенный меанизм компрессии данных |
|
Форм-фактор
|
Карта формата PCI-E
200-1600GB половинной высоты
3200GB полной высоты
|
|
MTBF
|
2.000.000 часов
|
|
Устойчивость к записи (Write Endurance)
|
200 GB SLC не менее 37PB 400 GB SLC не менее 74PB 400 GB eMLC не менее 11PB 800 GB eMLC не менее 22PB 1.6 TB eMLC не менее 45PB 3.2 TB eMLC не менее 90PB |
|
Электропитание
|
от шины PCI-E
|
| Энергопотребление: | 15W |
|
Параметры окружающей среды
|
Температура:
Влажность: 5 – 90 %, без образования конденсата Воздушный поток для охлаждения: не менее 300LFM |
Для применения в сетях SAN и DAS компания LSI предлагает использовать LSI® Nytro™ WarpDrive™ Application Acceleration Card совместно с предлагаемым ей же программным обеспечением LSI Nytro XD. Комбинация этих двух продуктов носит название Nytro XD Application Acceleration Storage Solution. Компания LSI заявляет о том, что применение этого продукта ведет к значительному (более 30 раз) ускорению работы с существующими системами SAN или DAS. Причем ускорение достигается не только на операциях чтения, но и на записи. Никакой настройки программного обеспечения и перестроения аппаратной платформы не требуется, необходимо только установить PCI-E карту и проинсталлировать программу. Перед покупкой данного продукта есть возможность проанализировать возможно достижимое ускорение для своей системы, используя маленькую утилиту (распространяемую компанией LSI бесплатно ) Nytro Predictor Software Tool.
Информация для заказа:
NWD-WLP4-200 200 GB SLC LSI00323
NWD-WLP4-400 400 GB SLC LSI00324
NWD-BLP4-400 400 GB eMLC LSI00318
NWD-BLP4-800 800 GB eMLC LSI00319
NWD-BLP4-1600 1.6 TB eMLC LSI00320
NWD-BFH8-3200 3.2 TB eMLC LSI00393
Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.
Copyright © 2015 - Tiscom