Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru
Интерфейс подключения: NVMe 1.2 PCIe Gen3
Тип накопителей: Memmory Extension
Форм фактор: U.2 и AiC
Емкость системы: 1TiB - 4TiB
Масштабируемая инфраструктура для вычислений внутри памяти.
Лучшая в классе по совокупной стоимости владения
Вычисления с использованием памяти используются для обработки данных в режиме реального времени, кэширования приложений, крупномасштабных баз данных и ускорения для экономики, основанной на данных. Поставщики облачных услуг и ИТ-администраторы столкнулись с ростом накладных расходов CAPEX и OPEX при развертывании архитектур с использованием памяти для достижения масштабируемых аппаратных конфигураций. Для снижения CAPEX и OPEX при развертывании инфраструктуры внутрипамяти увеличиваются диски памяти Ultrastar.
памяти приложений путем создания виртуальных пулов памяти. Диск памяти Ultrastar масштабируется до 24TiB в сервере 1U для использования в качестве виртуализированной памяти без значительных потерь в производительности приложения. Решение прозрачно, не требуя никаких изменений в существующих операционных системах или приложениях для производительности, близкой к DRAM.
масштабируйте пулы DRAM без изменений операционной системы или приложений
Класса ЦОД для критически важных приложений
Производительность близкая к DRAM
Аналитика в реальном времени
Кэширование в веб-масштабе
Высокопроизводительные вычисления (HPC)
Геномика
Облачные службы
Хостинг-провайдеры
Telcos
Программное обеспечение как услуга (SaaS)
Анализ временных рядов IoT
Идеально подходит для RedisTM и Memcached
Нет необходимости изменять стеки приложений или Linux
Возможность масштабирования больших объемов памяти
Сокращение числа узлов за счет консолидации с помощью Ultrastar DC ME200
Форм-факторы NVMeTM U.2 или AIC HH-HL
DC ME200: Стандартные параметры | ||
---|---|---|
Базовые характеристики | Интерфейс | NVMe 1.2 PCIe Gen3 |
Форм фактор | U.2 15мм AIC, HH-HL |
|
Тип NAND | NVMe | |
Рекомендованное расширение1 |
|
|
Надёжность | Гарантия2 | 5 years |
Параметры рабочей среды | Электропитание | 3.3V (aux) & 12V |
Потребление | 25W (работа), 9W (простой) | |
Рабочая температура | U.2: 0° to 70°C (Окружающая) AiC: 0° to 55°C (Окружающая) |
|
Физические характеристики | Размер (ДхВхШ) | U.2: 100.2 x 69.85 x 15 AiC: 167.65 x 68.9 x 14.49 |
DC ME200: AIC, HH-HL | ||||
Ёмкость3 | 4TiB | 2TiB | 1TiB | |
Парт номера | 0TS1914 | 0TS1913 | 0TS1912 | |
TBW (PB)4 | 78 | 38.2 | 19.1 |
1. Предлагаемое в 8-микратное расширение DRAM основано на внутреннем тестировании производительности в различных тестах отраслевых стандартов.
2. Гарантия на изделие истекает в более ранний из следующих сроков: (i) дата, когда срок службы флэш-накопителя достигнет одного процента (1%) от оставшегося ресурса, или (ii) истечение периода времени, связанного с изделием.
3. Объем памяти указывается GiB и TiB и, исходя из двоичных значений, один гибибайт (GiB) равен 230 байтам, а один тебибайт (TiB) - 1024 гигабайтам (240). Емкость и долговечность хранилища обозначается TB и PB, где один PB равен 1000 ТБ. Доступная емкость может отличаться от заявленной в связи с программным обеспечением, форматированием и другими факторами.
4. Рейтинг долговечности, основан на 4КиБ произвольной рабочей нагрузки при записи.
Введенная Вами информация будет передана нашему специалисту, отвечающему за данный вид продукции.
Вы получите квалифицированный ответ в ближайшее время.
Copyright © 2015 - Tiscom