109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти с интерфейсом NVMe

Samsung PM1725a
  • Интерфейс подключения: PCI Express (Gen 3) x4/8
  • Скорость операций ввода/вывода: до 1M/25K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Форм факторы: HHHL, 2.5 дюйма
  • Доступные объемы: 800GB - 6,4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 5 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Toshiba ZD6300 series (Долговечность)
  • Интерфейс подключения: PCI Express 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 140К/650К IOPS
  • Тип накопителей: MLC
  • Форм фактор: 2,5 inch
  • Емкость системы: 800GB - 6,4TB

 
Toshiba ZD6300 series (Интенсивное чтение)
  • Интерфейс подключения: PCI Express 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 50К/650К IOPS
  • Тип накопителей: MLC
  • Форм фактор: 2,5 inch
  • Емкость системы: 960GB - 7,68TB

 
Intel® SSD DC P4600

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 636500/ 223000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 2TB и 4TB
Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel® SSD DC P4600

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 636500/ 223000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.6TB, 2TB и 3.2TB
Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel® SSD DC P4500

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 687000/ 62000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 4TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel® SSD DC P4500

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 687000/ 62000 IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1TB, 2TB и 4TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
HGST Ultrastar SN200
  • Интерфейс подключения: PCIe 3.0 x4 или 2x2 NVMe 1.2
  • Скорость операций ввода/вывода: до 830/200K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC 3D NAND
  • Доступные объемы: 7.68TB, 3.84TB, 1.92TB, 960GB (1DWPD) / 6.4TB, 3.2TB, 1.6TB, 800GB (3DWPD)
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC P3520 U.2

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 450GB, 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
Intel DC P3520

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express) PCIe x4
Скорость операций ввода/вывода: до 375/26K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: TLC 3D NAND
Емкость системы: 1.2TB, 2TB
Устойчивость к износу:  до 0.8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
HGST Ultrastar SN100 Max Capacity
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/38K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 956GB/1910GB/3820GB
  • Устойчивость к износу:  до 0,8 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
HGST Ultrastar SN100
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 743/140K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: MLC (19 nm)
  • Доступные объемы: 800GB/1600GB/3200GB
  • Устойчивость к износу:  до 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

Страницы