109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти с интерфейсом NVMe

Samsung PM953
  • Интерфейс подключения: PCI Express Gen3 x4 NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: до 240/19K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 2'5 :480GB, 960GB, 1.92TB и M.2: 480GB и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Samsung PM1725
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.1b
  • Скорость операций ввода/вывода: до 1M/120K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: TLC
  • Доступные объемы: 3.2TB и 6.4TB
  • Устойчивость к износу: не менее 5 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate Nytro® XM1440 Capacity Optimized
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/7K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 480GB и 960GB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate Nytro® XM1440 Endurance Optimized
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB и 800GB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate Nytro® XF1440 Capacity Optimized
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/7K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 480GB, 960GB и 1.92TB
  • Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Seagate Nytro® XF1440 Endurance Optimized
  • Интерфейс подключения: PCIe Gen3 ×4 NVMe 1.2a
  • Скорость операций ввода/вывода: до 200/34K IOPS(чтение/запись, блоки 4K)
  • Тип накопителей: eMLC
  • Доступные объемы: 400GB, 800GB и 1.6TB
  • Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC P3608 "Fultondale-3"

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 850/150K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC-HET)  (20nm)
Емкость системы: 1.6TB, 3.2TB, 4TB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
OCZ Z-Drive 6300 (U.2)

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/120K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 и 6400GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
OCZ Z-Drive 6000

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 700/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (19nm, Toshiba)
Емкость системы: 800, 1600, 3200 GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC P3500 (Fultondale)

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 430/28K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (20nm)
Емкость системы: 400, 1200, 2000 GB
Устойчивость к износу: не менее 0.3 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
HGST Ultrastar SN100/SN150

Интерфейс подключения: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
Скорость операций ввода/вывода: до 743/160K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (eMLC)  (19nm)
Емкость системы: 800,1600,3200 GB
Устойчивость к износу: более 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет

 
PMC Flashtec NVRAM NV1604/NV1608/NV1616
  • Интерфейс подключения: NVMe
  • Скорость операций ввода/вывода: более 10.000.000 IOPS
  • Тип накопителей: Non-volatile DRAM
  • DDR3 форм-фактор: 4,8,16 GB
  • Объем перезаписи неограничен

Страницы