109387, Москва, ул. Люблинская, 42, офис 108 +7(495) 351-88-01 351-88-02 main@tiscom.ru
 277625523 tiscomputers  @olegshishlyannikov
Техподдержка:+7(985) 991-63-14 support@tiscom.ru

Подсистемы внешней памяти с интерфейсом SATA/SAS

HPE 6G SATA Mixed Use Hot Plug SFF
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
  • Форм-фактор: 2.5  c поддержкой  " горячей " замены
HPE Read Intensive Solid State M.2 Enablement Kit
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
  • Форм-фактор: M.2
HPE 12G SAS Read Intensive SSD LFF
  • Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
  • Форм-фактор: 3.5 c поддержкой  " горячей " замены
HPE 12G SAS Read Intensive SSD SFF
  • Интерфейс подключения: SAS 3.0 (12Gb/s)
  • Форм-фактор: 2.5  c поддержкой  " горячей " замены
HPE 6G SATA Read Intensive SSD LFF
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
  • Форм-фактор: 3.5  c поддержкой  " горячей " замены
HPE 6G SATA Read Intensive SSD SFF
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
  • Форм-фактор: 2.5  c поддержкой  " горячей " замены
Toshiba HK4R

Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 75/30K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 120Gb/240GB/480GB/960GB/1920GB
Устойчивость к износу: не менее 1 цикла перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Toshiba HK4E

Интерфейс подключения: SATA 3.0 (6Gb/s)
Скорость операций ввода/вывода: до 75/30K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC)  (16nm, Toshiba)
Емкость системы: 200GB/400GB/800GB/1600GB
Устойчивость к износу: не менее 3 циклов перезаписи полного объема в день в течении 5 лет
Intel DC S3100
  • Интерфейс подключения: SATA 3.0
  • Скорость операций ввода/вывода: до 59/4.7K IOPS (Read/Write, блоки 4KB)
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (TLC)  
  • Емкость, накопители 2'5: 180, 240, 480, 1000GB
  • Устойчивость к износу: 72 TBW

 
HGST Ultrastar SSD1600MR
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:1920 / 1600 / 1000 / 800 / 500 / 400 / 250GB
  • 3 перезаписи полного объема в день
HGST Ultrastar SSD1600MM
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC Mainstream Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:200/400/800/1600 GB
  • 10 перезаписей полного объема в день
HGST Ultrastar SSD800MH.B
  • Интерфейс подключения: SAS 12Gb/s
  • Скорость операций ввода/вывода: до 130.000 IOPS
  • Тип накопителей: Multi-Level Cell (MLC High Endurance Intensive, 20nm) 
  • 2.5 форм-фактор:100/200/400/800 GB
  • 25 перезаписей полного объема в день

Страницы